ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy

دانلود کتاب هندبوک ناهمسان ساختار سیلیکونی: مواد، ساخت، دستگاه‌ها، مدارها و کاربردهای اپیتاکسی لایه‌های کرنش SiGe و Si

Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy

مشخصات کتاب

Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy

دسته بندی: ابزار
ویرایش:  
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 0849335590, 9780849335594 
ناشر: CRC Press 
سال نشر: 2005 
تعداد صفحات: 1177 
زبان: English  
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 37 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 45,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب هندبوک ناهمسان ساختار سیلیکونی: مواد، ساخت، دستگاه‌ها، مدارها و کاربردهای اپیتاکسی لایه‌های کرنش SiGe و Si: ابزار دقیق، نیمه هادی ها



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 7


در صورت تبدیل فایل کتاب Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب هندبوک ناهمسان ساختار سیلیکونی: مواد، ساخت، دستگاه‌ها، مدارها و کاربردهای اپیتاکسی لایه‌های کرنش SiGe و Si نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب هندبوک ناهمسان ساختار سیلیکونی: مواد، ساخت، دستگاه‌ها، مدارها و کاربردهای اپیتاکسی لایه‌های کرنش SiGe و Si

ترکیب فوق‌العاده‌ای از علم مواد، فرآیندهای تولید و تفکر نوآورانه باعث توسعه دستگاه‌های هتروجانکشن SiGe شد که طیف گسترده‌ای از عملکردها، سطوح عملکرد بی‌سابقه و هزینه‌های ساخت پایین را ارائه می‌دهند. در حالی که کتاب‌های زیادی در مورد جنبه‌های خاص ناهم‌ساختارهای Si وجود دارد، کتاب راهنمای ناهم‌ساختار سیلیکون: مواد، ساخت، دستگاه‌ها، مدارها، و کاربردهای SiGe و Si Strained-Layer Epitaxy اولین کتابی است که همه جنبه‌ها را در یک منبع واحد جمع‌آوری می‌کند. بحث گسترده، جامع و عمیق، این کتاب راهنما وضعیت فعلی این حوزه را در حوزه‌هایی از مواد گرفته تا ساخت، دستگاه‌ها، CAD، مدارها و برنامه‌های کاربردی تشریح می‌کند. ویرایشگر شامل \"عکس‌های فوری\" از پیشرفته‌ترین فناوری‌های صنعتی برای دستگاه‌ها و مدارها است که دیدگاه جدیدی را برای مقایسه وضعیت فعلی با جهت‌های آینده در این زمینه ارائه می‌کند. با هر فصل ارائه شده توسط نویسندگان متخصص از مؤسسات صنعتی و تحقیقاتی پیشرو در سراسر جهان، کتاب نه تنها از نظر وسعت دامنه، بلکه از نظر عمق پوشش، به‌موقع بودن نتایج و اعتبار مراجع بی‌نظیر است. این کتاب همچنین شامل پیشگفتاری از دکتر برنارد اس. میرسون، پیشگام در فناوری SiGe است. هندبوک Heterostructure سیلیکون حاوی نزدیک به 1000 شکل همراه با ضمیمه های ارزشمند، به طور معتبر به بررسی مواد، ساخت، فیزیک دستگاه، بهینه سازی ترانزیستور، اجزای اپتوالکترونیک، اندازه گیری فشرده می پردازد. مدل سازی، طراحی مدار و شبیه سازی دستگاه.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

An extraordinary combination of material science, manufacturing processes, and innovative thinking spurred the development of SiGe heterojunction devices that offer a wide array of functions, unprecedented levels of performance, and low manufacturing costs. While there are many books on specific aspects of Si heterostructures, the Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits, and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy is the first book to bring all aspects together in a single source.Featuring broad, comprehensive, and in-depth discussion, this handbook distills the current state of the field in areas ranging from materials to fabrication, devices, CAD, circuits, and applications. The editor includes "snapshots" of the industrial state-of-the-art for devices and circuits, presenting a novel perspective for comparing the present status with future directions in the field. With each chapter contributed by expert authors from leading industrial and research institutions worldwide, the book is unequalled not only in breadth of scope, but also in depth of coverage, timeliness of results, and authority of references. It also includes a foreword by Dr. Bernard S. Meyerson, a pioneer in SiGe technology.Containing nearly 1000 figures along with valuable appendices, the Silicon Heterostructure Handbook authoritatively surveys materials, fabrication, device physics, transistor optimization, optoelectronics components, measurement, compact modeling, circuit design, and device simulation.



فهرست مطالب

A.3.2 Derivation of a General Relationship......Page 2
A.3.3 Homojunction Transistors......Page 6
References......Page 10
A.3.5 Further Extensions......Page 12
9.14.9 RF and Analog Blocks Validation......Page 14
Appendix A.3: Integral Charge-Control Relations......Page 0
Appendix A.4: Sample SiGe HBT Compact Model Parameters......Page 1
References......Page 4
References......Page 5
9.14.2 Process Definition......Page 3
9.14.4 Down Mixers and PMA Implementation......Page 8
Other ICs......Page 7
A.3.4 Heterojunction Transistors......Page 9
Half-Rate and Full-Rate Transmitter Designs......Page 11
References......Page 13
Reconfigurable Matching Networks (Tuners)......Page 16
References......Page 19
9.8.9 Fabricated Hardware and Results......Page 21
References......Page 22
References......Page 24
Harmonic Matching Techniques......Page 28
Inductors......Page 30
Low-Frequency IM3-Cancellation......Page 32
Varactors......Page 34
Integrated Circuit Oscillators......Page 36
VCO Comparison and Summary......Page 37
9.14.10 RF and Analog Receiver Validation......Page 17
LNA Comparison and Summary......Page 20
Downconversion Mixers......Page 15
9.14.11 WCDMA Receiver Global Test......Page 18
9.8.10 Compensation and Corrections......Page 23
Mixer Comparison and Summary......Page 26
Third-order Distortion Cancellation......Page 29
High-Frequency IM3-Cancellation......Page 33
References......Page 40
9.7.5 Voltage-Controlled Oscillators......Page 27
References......Page 39




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی